應用領域:
等離子體增強化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）是一種利用等離子體輔助的低溫薄膜沉積技術，廣泛應用于以下領域：

半導體與微電子
- 集成電路（IC）：沉積SiN₃、SiO₂等介電層，用于鈍化、隔離和柵介質(zhì)。
- MEMS器件：制備應力可調(diào)的SiN薄膜，用于傳感器和微機械結構。
光伏與新能源
- 硅基太陽能電池：沉積減反射層（SiNₓ）和鈍化層，提升光電轉(zhuǎn)換效率。
- 鈣鈦礦太陽能電池：低溫制備電子傳輸層（如SnO₂）和封裝層。
顯示與光學
- OLED/LCD顯示：制備絕緣層、阻擋層（如SiNₓ），防止水氧滲透。
- AR/VR光學鍍膜：沉積高折射率薄膜（如TiO₂、SiNₓ）用于透鏡涂層。
柔性電子
- 柔性基板（PI/PET）：低溫沉積ITO透明導電膜或封裝層。
- 可穿戴設備：制備生物兼容性薄膜（如DLC）用于傳感器保護。
科研與前沿材料
- 二維材料：可控生長過渡金屬硫化物（如MoS₂）。
- 量子點器件：封裝量子點發(fā)光層（QLED）。

技術特點:

1. 低溫工藝優(yōu)勢
- 沉積溫度：80~400℃，兼容塑料、聚合物等熱敏感基底。
- 對比傳統(tǒng)CVD：避免高溫導致的基底變形或性能退化。
2. 等離子體增強反應
- 射頻（RF）或微波等離子體：分解反應氣體（如SiH₄/NH₃），提高沉積速率。
- 離子轟擊效應：改善薄膜致密性和附著力。
3. 薄膜性能調(diào)控
- 成分可控：通過調(diào)節(jié)氣體比例（如SiH₄/N₂O）獲得SiOxNy漸變膜。
- 應力工程：壓應力/張應力薄膜可通過功率和氣壓調(diào)節(jié)。
4. 設備配置特點
- 多腔體設計：避免交叉污染，支持批量生產(chǎn)。
- 在線監(jiān)測：集成橢偏儀或光譜儀實時監(jiān)控膜厚/折射率。
5. 工藝靈活性
- 支持多種模式：直接PECVD、遠程等離子體、脈沖PECVD。
- 可選功能：紫外后處理（UV-Cure）提升薄膜性能。